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MMBT2369中文资料

MMBT2369图片

MMBT2369外观图

  • 大小：230.54KB
  • 厂家：TD
  • 描述：
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)

MMBT2369供应商

更新时间:2023-01-10 15:23:14
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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